| 专利名称 | 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 | 申请号 | CN200410080409.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1754860 | 公开（授权）日 | 2006.04.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;王大海;柴淑敏 | 主分类号 | C04B35/622(2006.01) | IPC主分类号 | C04B35/622(2006.01);C04B35/58(2006.01) | 专利有效期 | 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 至一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种适用于纳米器件制造的硅化物工艺，其主要 步骤是清洗、真空退火处理、溅射Ni薄膜、溅射TiN薄膜、 快速热退火、选择腐蚀、玻璃淀积、接触孔形成和金属化。本 发明在Ni膜上加一盖帽层氮化钛，形成TiN/Ni/Si结构，同时 改进清洗方法，优化薄膜厚度和硅化反应的条件，获得了很好 的结果。不但薄膜的薄层电阻明显减小，而且热稳定性有了明 显的提高，即由低阻NiSi相向高阻 NiSi2相转变的温度提高了，浅结 漏电流得到改善。与常规Ti和Co硅化物工艺比较，该方法工 艺步骤少，成本低，器件性能改善显著，因而极具吸引力。特 别在亚50纳米技术中是常规Ti和Co硅化物工艺所不可替代 的工艺。 |
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