| 专利名称 | 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管 | 申请号 | CN200510064341.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1753187 | 公开（授权）日 | 2006.03.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 曾中明;韩秀峰;杜关祥;魏红祥;李飞飞;詹文山 | 主分类号 | H01L29/70(2006.01) | IPC主分类号 | H01L29/70(2006.01);H01L29/72(2006.01);H01L29/88(2006.01) | 专利有效期 | 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管 至基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及基于双势垒隧道结共振隧穿效应的 晶体管包括：衬底、发射极、基极、集电极和第一和第二隧道 势垒层；其中第一隧道势垒层设置在发射极和基极之间，第二 隧道势垒层在基极与集电极之间；并且发射极与基极间和基极 与集电极间形成的隧道结的结面积的大小为1平方微米～ 10000平方微米；基极的厚度与该层材料的电子平均自由程可 比拟；发射极、基极和集电极中有且仅有一极的磁化强度的方 向是自由的。由于采用双势垒结构，克服了由于基极与集电极 之间产生的肖特基势。其中，基极电流为调制信号，通过改变 基极或集电极的磁化强度的方向，使集电极的信号与基极电流 的调制模式相似，即发生共振隧穿效应，在合适的条件下可得 到放大的信号。 |
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