| 专利名称 | 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法 | 申请号 | CN201010271287.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386067A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张超;宋志棠;万旭东;刘波;吴关平;张挺;杨左娅;谢志峰 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 专利有效期 | 有效抑制自掺杂效应的外延生长方法 至有效抑制自掺杂效应的外延生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及了一种有效抑制自掺杂效应的外延生长方法，其首先清除含有重掺杂埋层区域的半导体衬底和待使用的反应腔室内壁的杂质，然后将半导体衬底载入被清洗过的反应腔室，在真空条件下对其进行预烘烤，以去除所述半导体衬底表面的湿气及氧化物，随后抽出半导体衬底表面被解吸附的掺杂原子，接着在高温和低气体流量条件下，在已抽出掺杂原子的所述半导体衬底表面生长第一本征外延层；然后在低温和高气体流量条件下，在已生长有本征外延层的结构表面继续生长所需厚度的第二外延层，最后冷却载出硅片。该方法能够抑制半导体衬底外延生长过程中的自掺杂效应，从而确保周边电路区器件的性能，以增加器件的可靠性。 |
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