| 专利名称 | 红外焦平面阵列器件及其制作方法 | 申请号 | CN201010267967.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386268A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 欧文;刘战峰 | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;G01J5/20(2006.01)I | 专利有效期 | 红外焦平面阵列器件及其制作方法 至红外焦平面阵列器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种红外焦平面阵列器件，包括：衬底；空腔，位于所述衬底内；红外传感层，悬空于所述空腔的上方；悬臂梁，悬空于所述衬底上方，一端与衬底固定连接，另一端与红外传感层固定连接；红外反射层，遮盖于所述红外传感层的上方并且与红外传感层之间具有共振腔，通过支撑柱与所述红外传感层连接。相应的，本发明还提供一种红外焦平面阵列器件的制作方法。本发明提供的红外焦平面阵列器件及其制作方法采用红外传感层以及在其上制作专门的红外反射层的方式来制作红外吸收结构，红外反射层为简单的膜层结构，这样一来，既增加了红外反射层的面积，提高红外吸收效率，同时也降低的红外吸收结构的制作难度，有利于大规模生产制造，降低成本。 |
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