| 专利名称 | 金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 | 申请号 | CN201010269029.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102386076A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李永亮;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 至金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种金属栅层/高K栅介质层的叠层结构的刻蚀方法，属于集成电路制造技术领域。该方法包括：在半导体衬底上依次形成界面层、高K栅介质层、金属栅层、多晶硅层和硬掩膜层；根据需要形成的栅极图案对所述硬掩膜层和多晶硅层进行刻蚀；采用预刻、主刻和过刻工艺对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行刻蚀；其中，在对金属栅层/高K栅介质层的叠层结构进行主刻时，采用包括BCl3和SF6的混合气体作为工艺气体。本发明适用于CMOS器件中引入高K介质、金属栅材料后的栅结构刻蚀工艺。 |
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