| 专利名称 | 锗衬底的生长方法以及锗衬底 | 申请号 | CN201110215672.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102383192A | 公开（授权）日 | 2012.03.21 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;薛忠营;曹共柏;张峰;张苗;王曦 | 主分类号 | C30B25/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/02(2006.01)I;C30B29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 锗衬底的生长方法以及锗衬底 至锗衬底的生长方法以及锗衬底 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种锗衬底的生长方法，包括如下步骤：提供支撑衬底，所述支撑衬底为晶体材料；在支撑衬底表面采用第一温度外延生长第一锗晶体层；在第一锗晶体层表面采用第二温度外延生长第二锗晶体层，所述第一温度低于第二温度。本发明的优点在于提出了一种低高温锗外延结合的生长工艺，首先低温生长一层锗层，锗外延生长速度低，具有二维生长特性且完全弛豫，这层薄的低温锗层具有较多的缺陷，易于应力驰豫以及位错湮灭，随后，再高温生长一层锗外延层，该层生长速度快，能够得到具有高晶体质量且完全驰豫的单晶锗层。 |
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