| 专利名称 | 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法 | 申请号 | CN201110356474.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102377109A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张灿;梁松;朱洪亮;马丽 | 主分类号 | H01S5/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01S5/12(2006.01)I;H01S5/323(2006.01)I;H01S5/22(2006.01)I | 专利有效期 | 抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法 至抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种抑制空间烧孔效应的分布反馈激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在衬底上依次生长介质掩模，涂光刻胶，光刻，两条介质掩模形成介质掩膜图形，两条介质掩模之间为生长窗口；步骤3：在制作有介质掩膜图形的衬底1上外延制作多量子阱有源区；步骤4：在多量子阱有源区的表层制作均匀光栅；步骤5：腐蚀去掉介质掩膜，在均匀光栅上生长包层和电接触层；步骤6：在电接触层上涂光刻胶，光刻；步骤7：采用湿法腐蚀，在电接触层上制作出脊波导结构；步骤8：在脊波导结构的顶端制作正面电极；步骤9：将衬底减薄后在衬底的底部制作背面电极，完成制作。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障