| 专利名称 | 超薄体晶体管及其制作方法 | 申请号 | CN201010257023.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376769A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 梁擎擎;钟汇才;朱慧珑 | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 超薄体晶体管及其制作方法 至超薄体晶体管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种超薄体晶体管及其制作方法。所述超薄体晶体管包括：半导体衬底、所述半导体衬底上的栅极结构以及栅极结构两侧半导体衬底中的源区与漏区，其中，所述栅极结构包括栅介电层、嵌于栅介电层中的栅极以及栅极两侧的侧壁；所述超薄体晶体管还包括：依次位于所述栅极结构下方阱区中的体区与埋层绝缘区，其中，所述体区与埋层绝缘区的两端分别连接源区与漏区，所述体区下方的埋层绝缘区将体区与阱区的其余区域相隔离。本发明超薄体晶体管有效抑制了短沟道效应对器件性能的影响。而本发明的超薄体晶体管制作方法结合栅极替换工艺，使埋层绝缘区的形成自对准于栅极，降低了侧壁下的寄生电阻。 |
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