| 专利名称 | 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 | 申请号 | CN201110385093.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376874A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 张杨;曾一平 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;G01R33/09(2006.01)I | 专利有效期 | 基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 至基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于二维电子气材料的半导体磁敏型传感器，包括：一衬底，为半绝缘GaAs衬底或者半绝缘Si衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层为十字结构，该复合缓冲层生长在衬底上的中间部位；一下势垒层，该下势垒层生长在十字结构的复合缓冲层上；一下掺杂层，该下掺杂层生长在十字结构下势垒层上；一下隔离层，该下隔离层生长在十字结构的下掺杂层上；一沟道层，该沟道层生长在十字结构下隔离层上；一上隔离层，该上隔离层生长在十字结构沟道层上；一上掺杂层，该上掺杂层生长在十字结构上隔离层上；一上势垒层，该上势垒层生长在十字结构上掺杂层上；一帽层，该帽层生长在十字结构上势垒层上；欧姆接触电极，制作在十字结构的帽层的四端部的上面。 |
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