| 专利名称 | 一种半导体器件及其制造方法 | 申请号 | CN201010250728.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102376625A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;赵超;王晓磊;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其制造方法 至一种半导体器件及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，通过在形成源/漏区或其上的提升区之后，形成包括纳米级的催化金属颗粒以及其上的碳纳米管的接触结构，纳米级的催化金属颗粒一方面有诱导碳纳米管生长的作用外，另一方面还可以起到减小接触孔中接触塞与源/漏区的接触电阻的作用，进而降低器件的接触电阻，而且碳纳米管本身具有高导电性，这大大降低了接触的体电阻，从而降低器件的寄生电阻。 |
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