| 专利名称 | 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件 | 申请号 | CN201010256345.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102373506A | 公开（授权）日 | 2012.03.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;郭丽伟;林菁菁;李康;贾玉萍;王文军;王刚 | 主分类号 | C30B29/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/02(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 专利有效期 | 在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件 至在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及石墨烯和石墨烯器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种在SiC衬底上外延生长石墨烯的方法以及由该方法制得的石墨烯和制备石墨烯器件的方法，该方法包括以下步骤：采用对SiC衬底图形化的制备技术，在SiC衬底表面形成图形阵列；对图形化的SiC衬底进行热分解，在SiC衬底表面形成石墨烯。应用本发明的方法能够获得连续、均匀、无褶皱的高质量石墨烯，并且由于图形衬底上每个图形的定域性好，有利于对获得的石墨烯进行器件工艺制作，有利于实现晶片尺寸的石墨烯器件和石墨烯器件的广泛应用。 |
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