| 专利名称 | 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法 | 申请号 | CN200510028370.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1744287 | 公开（授权）日 | 2006.03.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍 | 主分类号 | H01L21/31(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/31(2006.01) | 专利有效期 | 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法 至氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中 采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用 多孔阳极氧化铝作为GaN横向外延过生长的掩膜。在HVPE 制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上沉积一层金属Al薄层， 然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧 化铝，再放入HVPE系统中生长GaN层。多孔阳极氧化铝由 于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微 区掩膜。由于气相外延的选择性，HVPE生长GaN时将选择生 长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长过程连接成完整 的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低了生长的GaN的 位错密度，提高了GaN层的质量。简化了光刻制作掩膜的工 艺，适合于批量生产时采用。 |
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