| 专利名称 | 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法 | 申请号 | CN200510028366.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1737195 | 公开（授权）日 | 2006.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 雷本亮;于广辉;齐鸣;叶好华;孟胜;李爱珍 | 主分类号 | C23C16/34(2006.01) | IPC主分类号 | C23C16/34(2006.01) | 专利有效期 | 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法 至氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓 (GaN)膜中的金属插入层及制备方法，其特征在于采用了金属 钨(W)插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在 GaN模板上电子束蒸发一层W薄层，然后经高温退火后继续 HVPE生长GaN层。金属钨插入层的引入，作用是产生微区掩 膜，金属W薄膜在高温下会发生团聚，同时与W接触的下层 的GaN会分解，使得金属W层形成分立的多孔网状结构，从 而暴露出部分的GaN膜，由于气相外延的选择性，HVPE生长 时GaN将选择生长在下层的GaN上，然后经过横向外延生长 过程连接成完整的GaN膜。通过GaN的微区横向外延，降低 了生长的GaN的位错密度。简单易行，适合于批量生产采用。 |
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