| 专利名称 | 直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法 | 申请号 | CN200510029096.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1737998 | 公开（授权）日 | 2006.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李爱珍;郑燕兰;李华;胡雨生;张永刚;茹国平;陈正秀 | 主分类号 | H01L21/205(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/205(2006.01);H01L21/22(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01S5/343(2006.01);C23C16/44(2006.01) | 专利有效期 | 直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法 至直接或间接带隙组成的Ⅲ－V族含铝化合物的掺杂及方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及由直接带隙二元系和间接带隙二元 系组成的三元系III－V族含铝砷化物和锑化物的掺杂及方法， 具体涉及AlInAs、AlGaAs和AlGaAsSb多元系外延材料及其 在全铝组份变化范围的施主掺杂及方法。其特征包括了在磷化 铟、砷化镓衬底上用气态源或固态源分子束外延生长的三种含 铝多元系III－V族化合物外延材料铝铟砷、铝镓砷、铝镓砷锑 在全全铝组份变化范围(0≤XAl ≤1)的施主掺杂方法。在全Al组份范围内存在施主掺杂隙，在 保持恒定的施主束流强度下，其施主浓度随铝组份变化可相差 2至4个数量级。本发明三种含铝三元系材料为中红外、远红 外(THz)激光器势叠层和波导层材料，也是高速器件的垒层材 料。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障