| 专利名称 | 用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法 | 申请号 | CN200510029022.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1737611 | 公开（授权）日 | 2006.02.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 徐刚毅;李爱珍 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01) | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01);G02B5/32(2006.01);G03F7/00(2006.01);G02B27/44(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/20(2006.01) | 专利有效期 | 用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法 至用于中红外分布反馈量子级联激光器的全息光栅刻蚀方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用于制备中红外量子级联激光器光 栅的全息光栅刻蚀方法。包括基于用全息技术制备一级光栅， 通过精确控制两束相干光束的夹角得到高精度的光栅周期，建 立和优化适用于中红外量子级联激光器的全息光栅曝光系统、 光栅刻蚀清洗工艺、适合光栅曝光的特殊光刻胶稀释液和显影 液，显影过程光栅衍射效果和形貌的在线实时监控方法。具体 工艺流程包括(1)光栅衬底的清洗；(2)涂布光刻胶；(3)光刻胶 的前烘培；(4)在干涉系统中曝光；(5)显影；(6)光刻胶的坚膜； (7)光栅衬底的腐蚀；(8)除光刻胶。运用本发明已成功地制备出 高质量7.6微米中红外单模可调谐InP基分布反馈量子级联激 光器。本发明方法也适用於其它中远红外半导体激光器光栅制 备。 |
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