| 专利名称 | 一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构 | 申请号 | CN201110402796.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102437179A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张正选;刘张李;胡志远;宁冰旭;毕大炜;陈明;邹世昌 | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构 至一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种抗总剂量辐射加固深亚微米器件的版图结构，包括具有源区、漏区及沟道区的有源区、位于所述有源区四周侧的浅沟道隔离槽、位于所述沟道区上且采用双边缘超出有源区结构的栅区、以及两个虚设浅沟道隔离槽，其中，所述两虚设浅沟道隔离槽间隔设置于所述有源区内且与所述栅区相互垂直。在原始的版图结构中增加了虚设浅沟槽隔离氧化物，使得器件沟道区边缘的栅延长到隔离氧化物区域宽度减小，阻止源漏之间形成漏电路径，从而达到抗总剂量加固的目的。本发明工艺简单，适用于大规模的工业生产。 |
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