| 专利名称 | 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统 | 申请号 | CN200410058037.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1734732 | 公开（授权）日 | 2006.02.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 魏珂;和致经;刘新宇;刘健;吴德馨 | 主分类号 | H01L21/3205(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/3205(2006.01);B32B15/01(2006.01) | 专利有效期 | 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统 至适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及AlGaN/GaN HEMT器件的欧姆接触 技术领域，特别是一种适用于AlGaN/GaN HEMT器件的新型 欧姆接触Al/Ti/Al/Ti/Au的合金系统。欧姆接触金属蒸发时采 用五层结构的AlTiAlTiAu结构。与AlGaN接触的金属第一金 属层为Al，然后顺次为次为Al/Ti/Al/Ti/Au。合金温度的范围 为660℃－760℃，合金时间在20－60S的范围内。该技术的合 金温度、合金时间有较大的选择范围，降低了工艺难度，扩大 了工艺宽容度，提高了工艺的重复性。获得比较理想的合金形 貌。 |
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