| 专利名称 | 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法 | 申请号 | CN200510029275.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1731638 | 公开（授权）日 | 2006.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李爱珍;陈建新;李华;徐刚毅;张永刚;林春;杨全魁;李存才;胡建 | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) | IPC主分类号 | H01S5/30(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 专利有效期 | 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法 至磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及中红外低阈值电流密度InP基含砷含 磷量子级联激光器结构及其不间断连续生长制备方法。其特征 是：(1)四种中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构。这四 种QCL结构的特点是：(a)都包括了InP基含砷含磷 GaInAs/AlInAs/GaInAs/InP/InP或GaInAs/InP/ GaInAs/AlInAs/ InP/InP；(b)只采用硅一种施主掺杂剂；(c)采用InP/InP复合下 波导包裹层；在InP和GaInAs间相互过渡时采用InP/GaInAs 或GaInAs/InP数字递变超晶格层；(d)在有源区/注入区两侧加 预注入加强层。(2)中红外InP基含砷含磷量子级联激光器结构 不间断连续生长方法的特点是只用一台气态源分子束外延系 统完成整个InP基含砷含磷量子级联激光器结构的不不间断连 续生长，所研制的QCL器件具有低阈值电流密度的特点。 |
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