| 专利名称 | SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 | 申请号 | CN201110380662.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102437201A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 白云;申华军;汤益丹;李博;周静涛;杨成樾;刘焕明;刘新宇 | 主分类号 | H01L29/872(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/872(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 至SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供SiC结势垒肖特基二极管，包括肖特基金属下的P型区，所述肖特基金属下的P型区分别由P+-SiC和P--SiC两个区域构成；所述SiC结势垒肖特基二极管的结终端延伸区域由P--SiC区构成。本发明还提供SiC结势垒肖特基二极管的制作方法。本发明提供的SiC结势垒肖特基二极管的制作方法降低了工艺的复杂度，减小了两次或多次Al离子注入工艺引入不利影响因素的可能性。 |
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