| 专利名称 | 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 | 申请号 | CN200510028755.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1731636 | 公开（授权）日 | 2006.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李爱珍;陈建新;徐刚毅;张永刚 | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) | IPC主分类号 | H01S5/30(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01) | 专利有效期 | 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 至磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种新型InP基量子级联激光器异质 结构多功能缓冲层及制作方法。其特征在于(a)所述的一种结构 是在1018cm－ 3高施主掺杂InP衬底上外延生长1－5× 1017cm－ 3电子浓度的InP缓冲层；(b)所述的另一种结构 是在具较高位错密度的1－5× 1017cm－ 3低掺施主浓度的InP衬底上外延生长0.8－3× 1017cm－ 3电子浓度的InP缓冲层。该缓冲层可作为降低 中红外折射率色散的下波导包裹终止层、有源区电流扩散终止 层、腐蚀终止层、改善衬底与外延层界面质量的吸杂层。具有 改善、提高InP基异质结构材料与器件性能的多功能、多用途 特点。 |
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