| 专利名称 | 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 | 申请号 | CN200510029274.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1731637 | 公开（授权）日 | 2006.02.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李爱珍;林春;李华;李存才;胡建;顾溢;张永刚;徐刚毅 | 主分类号 | H01S5/30(2006.01) | IPC主分类号 | H01S5/30(2006.01);H01S5/323(2006.01);H01S5/343(2006.01);H01S5/00(2006.01) | 专利有效期 | 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 至磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及用气态源分子束外延技术生长含砷 含磷量子级联激光器结构原子层尺度外延材料质量控制方法。 包括：(1)外延层原子层界面砷/磷原子混凝控制方法；(2)外延 层的组份均匀性的控制；(3)外延层厚度的控制以及(4)外延层施 主掺杂的控制方法。上述四方面质量控制已成功地用气态源分 子束外延一步生长方法制备出一系列25级至100级含400－ 2200层的中红外波段InP基含砷含磷InP/InAlAs/InGaAs量子 级联激光器结构材料。所制备的400－2200层的QCL结构都 能做出优质器件，表明本发明的QCL原子层尺度外延材料质 量控制方法是成功的。其思路也适合于其它III－V族化合物半 导体材料与器件。 |
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