| 专利名称 | 低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺 | 申请号 | CN201110419770.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102431963A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王双福;罗乐;徐高卫;韩梅 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺 至低温下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种低温条件下砷化镓图像传感器圆片级芯片尺寸封装工艺，其特征在于①首先进行载片与图像传感器器件晶圆之间的键合，以保护芯片晶圆有源面并为器件晶圆减薄提供支撑；②然后通过研磨方法使器件晶圆减薄至一定厚度；③再通过砷化镓湿法腐蚀方法形成器件晶圆背面到焊盘的通路；④旋涂光敏有机树脂，填充步骤③形成的通路并均匀覆盖在器件晶圆背面；⑤接着对光敏有机树脂进行光刻形成垂直互连通孔；⑥进行金属化并制作焊盘、RDL、钝化层和凸点；⑦最后划片形成独立的封装器件。本发明在于在不使用高温工艺和高能量等离子体工艺条件下，解决了砷化镓的绝缘和通孔金属化难题。 |
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