| 专利名称 | 一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法 | 申请号 | CN201110216528.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102436929A | 公开（授权）日 | 2012.05.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 王焱;孙静;靳喜海;刘阳桥 | 主分类号 | H01G4/008(2006.01)I | IPC主分类号 | H01G4/008(2006.01)I;H01G4/06(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法 至一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一类高介电、低损耗仿晶界层电容器及其制备方法，其特征在于以具有高导电氮化物单元(核)/高介电绝缘层结构(壳)的核壳结构复合粉体代替传统晶界层电容器的材料单元，采用SPS烧结工艺制备高介电、低损耗的仿晶界层电容器。所述的仿晶界层电容器材料包括SrTiO3/TiN、BaTiO3/ZrN、CaTiO3/TiN、MgTiO3/NbN、(Ba，Sr)TiO3/TiN和Pb(Mg1/3Nb2/3)O3/NbN等。本发明的设计理念突破了传统晶界层电容器仅限于SrTiO3和BaTiO3等极个别陶瓷材料这一缺点，将其推广到一系列高介电陶瓷材料，从而可以大大扩展“晶界层电容器”的家族规模。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障