| 专利名称 | 一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法 | 申请号 | CN201110118753.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102393862A | 公开（授权）日 | 2012.03.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 曹俊诚;徐公杰;伍滨和 | 主分类号 | G06F17/50(2006.01)I | IPC主分类号 | G06F17/50(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法 至一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种超导体-石墨烯异质结中负微分电导现象的优化方法。该方法首先写出约瑟夫森结中狄拉克方程，并对传播方向的哈密顿量进行离散化；利用Floquet定理，将结中由偏压产生的交流效应展开在非平衡格林函数的形式中；然后利用两端的自能项，求出两端的格林函数，进而求出传输区域的格林函数；再由电流公式分别求出直流与交流项；最终，可根据需要调整栅压分布，对负微分电导现象及电流幅度进行优化；由于格林函数在处理微观机制上的优势，因此比较容易考虑电子-声子、电子-电子相互作用等。 |
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