| 专利名称 | 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 | 申请号 | CN201110362040.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102392294A | 公开（授权）日 | 2012.03.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张可锋;林杏潮;张莉萍;邵秀华;王仍;焦翠灵;陆液;杜云辰;宋坤骏;李向阳 | 主分类号 | C30B13/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B13/00(2006.01)I | 专利有效期 | 高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 至高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高纯半导体材料的水平真空区熔制备方法。利用水平区熔技术、低真空条件、载料舟以及带有通气孔和回流接收槽的载料舟盖，将真空蒸馏、真空脱气和区熔熔炼多种提纯方法融合在一起，从而实现通过一套设备和工艺实现高纯半导体材料的制备。实现方式主要包括以下三点：1、舟盖上有两个凹槽设计，所以可以使具有较低熔点的杂质材料先挥发出来凝结在舟盖上，当加热炉体经过时，其熔化回流凝结在凹槽中，实现真空蒸馏；2、舟盖两端各有一个小孔，由于载料舟是放置在一个可抽真空的区熔炉腔体内，因此通过这两个小孔可对舟内部抽真空，当材料熔化时可以实现真空脱气；3、当区熔炉加热炉体经过载料舟时，可以实现区熔提纯。 |
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