| 专利名称 | 一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法 | 申请号 | CN201110206608.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102392225A | 公开（授权）日 | 2012.03.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 唐述杰;丁古巧;谢晓明;陈吉;王陈;江绵恒 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 专利有效期 | 一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法 至一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘基底直接生长石墨烯纳米带。本发明利用了石墨烯在原子台阶和平整解理面上成核功不同的特点，通过调节温度、压强、活性碳原子过饱和度等条件使石墨烯仅沿台阶边缘生长，生长成为尺寸可调的石墨烯纳米带。主要应用于新型石墨烯光电器件领域。 |
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