微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法

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专利名称 微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 申请号 CN200510026744.1 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN1727855 公开(授权)日 2006.02.01 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 冯飞;王跃林 主分类号 G01J5/10(2006.01) IPC主分类号 G01J5/10(2006.01);H01L31/00(2006.01) 专利有效期 微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 至微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种新颖的微机械碳纳米管场发射 型非致冷热成像器件及制作方法,属于微电子机械系统领域。 该器件由红外光学系统、衬底1、m×n的像素阵列15、荧光 屏14以及偏置电路16等组成。其特征在于采用微机械技术制 作双材料梁(膜)作为栅极,在催化剂上定向生长的碳纳米管作 为场发射源。其制作特征在于:选择合适的衬底材料,制作牺 牲层及锚区,淀积双层材料,刻蚀出栅孔,并在栅孔下制作催 化剂材料,在催化剂材料材料上定向生长碳纳米管,去掉牺牲 层材料释放双材料梁(膜),随后封接荧光屏,实现对m×n的 像素阵列的真空封装。最后连接偏置电路及其它校准电路,装 配红外光学系统,形成微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像 器件。

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