专利名称 | 微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 | 申请号 | CN200510026744.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN1727855 | 公开(授权)日 | 2006.02.01 | 申请(专利权)人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明(设计)人 | 冯飞;王跃林 | 主分类号 | G01J5/10(2006.01) | IPC主分类号 | G01J5/10(2006.01);H01L31/00(2006.01) | 专利有效期 | 微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 至微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像器件及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种新颖的微机械碳纳米管场发射 型非致冷热成像器件及制作方法,属于微电子机械系统领域。 该器件由红外光学系统、衬底1、m×n的像素阵列15、荧光 屏14以及偏置电路16等组成。其特征在于采用微机械技术制 作双材料梁(膜)作为栅极,在催化剂上定向生长的碳纳米管作 为场发射源。其制作特征在于:选择合适的衬底材料,制作牺 牲层及锚区,淀积双层材料,刻蚀出栅孔,并在栅孔下制作催 化剂材料,在催化剂材料材料上定向生长碳纳米管,去掉牺牲 层材料释放双材料梁(膜),随后封接荧光屏,实现对m×n的 像素阵列的真空封装。最后连接偏置电路及其它校准电路,装 配红外光学系统,形成微机械碳纳米管场发射型非致冷热成像 器件。 |
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