| 专利名称 | 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法 | 申请号 | CN201010101588.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101776604A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 邓启凌;杜春雷;杨兰英;史立芳;尹韶云 | 主分类号 | G01N21/65(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N21/65(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法 至一种增强分子拉曼散射的基底制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种增强分子拉曼散射的基底制作方法，(1)选用衬底材料、清洗并作亲水处理；(2)在衬底表面制作出微纳结构层；(3)将微纳结构层金属化，获得附着有纳米金属结构的衬底；(4)对步骤(3)得到的衬底表面修饰，得到表面装饰层，所述的表面修饰为根据待探测分子性质，制备气敏界面、或分子生物膜、或吸附膜、或表面活化材料，以提高基底富集待测分子的能力并对基底进行活化的行为；(5)对带有表面修饰层的衬底附加待测分子；(6)改变衬底周围外部介质环境，以提高待测分子拉曼散射增强效应；所述的衬底周围外部介质环境包括周围环境材料、或激发光波长、或光场分布、或磁场分布。本发明可用于高灵敏度探测，同时该基底具有可控性、一致性、重复性、稳定性高等优点。 |
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