| 专利名称 | 全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备 | 申请号 | CN200810229877.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101748392A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心有限公司 | 发明（设计）人 | 赵科新;奚建平;赵崇凌;张冬;洪克超;段鑫阳;张健;徐宝利;李士军;高振国;崔秀伟 | 主分类号 | C23C16/513(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/513(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I | 专利有效期 | 全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备 至全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜制备设备 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及薄膜制备装置，尤其是涉及一种单腔室在真空条件下工作的全自动大型平板式PECVD晶硅光伏减反射覆膜设备，解决现有技术中管式结构的PECVD设备存在的单次生产时间过长、产量低的问题，以及多腔室平板式PECVD设备存在的需要在真空条件下进行工作等问题。该设备主要设有装载台、预热台、PECVD室、冷却台、卸载台及真空抽气系统，装载台、预热台、PECVD室、冷却台和卸载台依次设置于台架上，预热台、冷却台分别连接保护气体管路，PECVD室通过管路连接真空抽气系统。本发明只给PECVD室提供了真空环境，其余部分都在大气或是保护气体下进行工作。本发明在只有单腔室在真空条件下工作的情况下，同样能达到管式PECVD和多腔室平板式PECVD的技术指标。 |
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