| 专利名称 | 金属有机物化学沉积设备的反应室 | 申请号 | CN201010033963.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101748377A | 公开（授权）日 | 2010.06.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 冉军学;王晓亮;胡国新;肖红领;殷海波;张露;李晋闽 | 主分类号 | C23C16/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/18(2006.01)I | 专利有效期 | 金属有机物化学沉积设备的反应室 至金属有机物化学沉积设备的反应室 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于金属有机化学气相沉积设备的反应室，包括：反应室腔体；与腔体连通的反应气及载气进气法兰；设置在腔体内用于承载半导体晶片的衬托；与腔体连通的尾气管路；对衬托进行加热的加热器；和使得衬托旋转的旋转装置，其中所述反应室还包括调距装置，所述调距装置用于调节进气法兰与衬托的相对面之间的距离。根据本发明的反应室可以实现进气法兰与晶片衬托之间的距离调节，从而提高调节反应室气场、流场模式的灵活性，改善晶体质量和半导体外延片均匀性。 |
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