| 专利名称 | 一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器 | 申请号 | CN201210405474.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102938422A | 公开（授权）日 | 2013.02.20 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 黄志明;童劲超;黄敬国;褚君浩 | 主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/08(2006.01)I;H01Q1/22(2006.01)I | 专利有效期 | 一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器 至一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种电场增强效应的铟镓砷太赫兹探测器，该探测器由磷化铟衬底上依次生长磷化铟缓型层，铟镓砷本征层，掺杂铟镓砷层和正负电极金属层构成。该探测器基于不同材料界面电场增强效应，选用组分适当的铟镓砷材料，通过有限元方法模拟计算，设计合理的天线耦合结构，通过前放电路对太赫兹信号进行放大读出，从而实现太赫兹信号的探测。具有可室温工作，探测灵敏度高，结构简单紧凑以及可大规模集成等优点，可以对太赫兹波信号进行成像检测。 |
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