| 专利名称 | 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法 | 申请号 | CN201010532635.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468123A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张苗;张波;薛忠营;王曦 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法 至一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种利用NiAl合金外延生长NiSiGe材料的方法，该方法包括在SiGe层表面淀积一层NiAl合金薄膜，然后进行退火工艺，使NiAl合金薄膜的Ni原子与SiGe层的SiGe材料进行反应，生成NiSiGe材料。因为Al原子的阻挡作用，NiSiGe层具有单晶结构，和SiGe衬底的界面很平整，可以达到0.3nm，可以大幅度提高界面的性质。 |
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