| 专利名称 | 一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法 | 申请号 | CN201210461745.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102931057A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王浩敏;谢红;孙秋娟;康晓旭;刘晓宇;谢晓明 | 主分类号 | H01L21/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/04(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法 至一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种基于栅介质结构的石墨烯场效应器件及其制备方法，该石墨烯场效应器件包括：具有栅电极沟槽的衬底；形成于所述栅电极沟槽中的栅电极；Al2O3介电薄膜层，位于所述栅电极沟槽中的栅电极表面，且Al2O3介电薄膜层表面与衬底表面齐平；覆盖于所述Al2O3介电薄膜层和衬底表面的BN薄膜层；形成于所述BN薄膜层上方的石墨烯；设置在所述石墨烯上方的源电极和漏电极，所述源电极和漏电极分别与石墨烯电性连接。本发明制备的BN薄膜层与Al2O3介电薄膜层共同构成新型的栅介质结构，有效保持了石墨烯中固有载流子的高迁移率，增强栅极的场效应作用，适用于石墨烯基高射频器件及碳基大规模集成电路制造领域。 |
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