| 专利名称 | 一种异质外延生长石墨烯的方法 | 申请号 | CN201110222191.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102910614A | 公开（授权）日 | 2013.02.06 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 张广宇;张连昌;时东霞 | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/04(2006.01)I | 专利有效期 | 一种异质外延生长石墨烯的方法 至一种异质外延生长石墨烯的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种异质外延生长石墨烯的方法，利用等离子体增强化学气相沉积法在单晶衬底上外延生长石墨烯，其中该单晶衬底的晶格与石墨烯的晶格相匹配。该异质外延生长石墨烯的方法可在低温下生长，不必采用催化剂，可形成晶格质量完美的外延单晶石墨烯。 |
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