| 专利名称 | SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用 | 申请号 | CN201110202795.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102886270A | 公开（授权）日 | 2013.01.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 陈小龙;郭丽伟;林菁菁;朱开兴;贾玉萍 | 主分类号 | B01J27/224(2006.01)I | IPC主分类号 | B01J27/224(2006.01)I;A62D3/17(2007.01)I;C01B3/04(2006.01)I;A62D101/20(2007.01)N | 专利有效期 | SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用 至SiC纳米晶/石墨烯异质结及制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种碳化硅纳米晶/石墨烯异质结，SiC纳米晶颗粒的外表面包覆有至少一层石墨烯，通过下述方法得到：将SiC纳米晶颗粒在真空或氩气气氛中，于1000℃-1600℃进行退火处理，得到SiC纳米晶/石墨烯异质结。本发明根据SiC热分解原理，通过调控退火温度、退火时间和环境气氛，可以获得由不同层数的石墨烯包覆的SiC纳米晶颗粒，从而得到SiC纳米晶/石墨烯异质结结构。利用本发明所制备的SiC纳米晶/石墨烯异质结构，在表面催化领域(其中包括表面光催化降解有机物和光催化制氢等方面)，具有广泛的应用潜能。 |
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