| 专利名称 | 一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法 | 申请号 | CN200810071779.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101775651A | 公开（授权）日 | 2010.07.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 发明（设计）人 | 李国辉;李征东;苏根博;贺友平;林秀钦;庄欣欣 | 主分类号 | C30B29/14(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/14(2006.01)I;C30B7/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法 至一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种大口径高质量磷酸二氢钾单晶生长方法。该方法包括如下步骤：在籽晶成锥时，初始生长温度下降到溶液饱和点下0.5℃开始成锥，控制降温速率为0.05℃/天；籽晶闭锥后，采用分阶段降温模式，晶体闭锥至50℃，保持降温速率0.05℃/天；50℃至35℃，保持降温速率0.1℃/天，35℃至室温，保持降温速率0.15℃/天；晶体转动模式按照“加速-正转-减速-停转-加速-反转-减速-停转”循环顺序，时间间隔为“20秒-60秒-20秒-20秒-20秒-60秒-20秒-20秒”的模式转动籽晶，保持正反转速率为40-60转/分。 |
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