| 专利名称 | 电离层小尺度结构的雷达成像方法 | 申请号 | CN201110217010.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102901963A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 李芳;李廉林;刘艳丽 | 主分类号 | G01S13/90(2006.01)I | IPC主分类号 | G01S13/90(2006.01)I | 专利有效期 | 电离层小尺度结构的雷达成像方法 至电离层小尺度结构的雷达成像方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种电离层小尺度结构的雷达成像方法，涉及合成孔径或真实孔径雷达成像技术，包括：步骤一：地基雷达发射信号照射电离层，接受经电离层散射的回波数据；步骤二：根据雷达回波数据计算三类相关函数，重构电离层小尺度不规则体的统计参数；步骤三：估计电离层不规则体高度；步骤四：重构电离层不规则体相关函数；步骤五：将步骤四计算所得结果输出，计算电离层不规则体的方差和尺度等参数，从而完成电离层小尺度不规则体的成像。本发明方法利用合成孔径雷达回波(后向散射场)的统计特性，估计电离层小尺度结构的谱特性及其位置，方法简单，成像准确。 |
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