| 专利名称 | 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 | 申请号 | CN201210408491.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903775A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 邢宇鹏;韩培德;范玉杰;王帅;梁鹏 | 主分类号 | H01L31/042(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/042(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 至用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于聚光和激光输能的晶体硅太阳能电池结构，包括：一钝化膜；一第一掺杂层，制作在钝化膜上的中间部位；一硅衬底，制作在第一掺杂层上的中间部位；一第二掺杂层，制作在硅衬底上，其长度大于衬底的长度，与第一掺杂层的长度相同；一钝化减反膜，制作在第二掺杂层上，其长度大于第二掺杂层的长度，与钝化膜长度相同；一第三掺杂层，制作在硅衬底的一侧，并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层一侧的端部；一第四掺杂层，制作在硅衬底的另一侧，并覆盖第一掺杂层和第二掺杂层的另一侧的端部；一第一电极，制作在第三掺杂层上，该第一电极的表面与钝化膜和钝化减反膜的端面齐平；一第二电极，制作在第四掺杂层上，形成电池单元；该电池结构通过多个电池单元两侧的第一电极和第二电极串接而成。 |
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