| 专利名称 | 存储单元测试电路及其测试方法 | 申请号 | CN201110208077.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102903392A | 公开（授权）日 | 2013.01.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王一奇;韩郑生;赵发展;刘梦新;毕津顺 | 主分类号 | G11C29/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G11C29/08(2006.01)I | 专利有效期 | 存储单元测试电路及其测试方法 至存储单元测试电路及其测试方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种存储单元测试电路，包括：存储单元阵列，用于储存信息数据；预充电电路，用于对存储单元阵列的位线进行预充电；写电路，用于将数据写入存储单元阵列；读取电路，用于感应存储单元阵列中的信息获得信号，并放大信号，通过驱动电路驱动信号到压焊点上，使得信号的电流满足测试仪器的驱动要求。本发明还公开了一种存储单元功能测试的方法。本发明公开的上述方案，解决了测试芯片中遇到的占用面积大、设计成本昂贵、设计周期长的问题，在版图设计时可以将新型存储单元直接嵌入到存储单元测试模块中，只需要采用合适的印刷板电路和普通的测试仪器，即可以应用于单粒子实验中的存储器测试，在一次流片中就可以制作多种不同电路结构的存储单元的测试模块。 |
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