| 专利名称 | 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法 | 申请号 | CN200510026541.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1722462 | 公开（授权）日 | 2006.01.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 宋志棠;刘波;徐成;徐嘉庆;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/24(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8239(2006.01) | 专利有效期 | 可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法 至可逆相变电阻与晶体管合二为一的相变存储器单元及制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种可逆相变电阻与晶体管合二为 一的相变存储器单元及制备方法。主要利用相变材料的半导体 特性，通过对相对稳定且易微细加工的可逆相变材料所具有的 N型与P型特性制备出微米到纳米量级的小尺寸场效应晶体 管，利用纳米加工技术，在晶体管的源、漏上制备10－100nm 的引出电极，这样就可实现构成相变存储单元的1R1T(一个可 逆相变电阻，一个场效应晶体管)在结构上的一体化与功能上的 集成，可有效提高相变存储器的集成度。 |
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