| 专利名称 | 一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法 | 申请号 | CN201010211713.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102054899A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 陈祥洲;刘伟丰;江国顺;朱长飞 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法 至一种制备作为太阳能电池吸收层的CuInSe2薄膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备CuInSe2薄膜的方法。该方法，包括如下步骤：1)将铜盐和铟盐溶于有机溶剂中后，加入硝酸水溶液混匀，再加入乙醇胺进行反应，至反应体系的pH值为6时反应完毕，密封保温后得到前驱体溶胶；2)将所述前驱体溶胶成膜，干燥后在氢气气氛中进行还原，所述还原反应完毕冷却至室温后再与硒粉进行硒化反应，反应完毕冷却至室温后得到所述CuInSe2薄膜。该方法简单可行，成本低，所得薄膜质量高，是一种应用于大规模低成本的铜铟硒薄膜太阳能电池有效方法。 |
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