| 专利名称 | 一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法 | 申请号 | CN200910237150.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102053101A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 国家纳米科学中心 | 发明（设计）人 | 刘新风;宁廷银;裘晓辉 | 主分类号 | G01N25/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N25/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法 至一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种测量单根半导体纳米线材料热导率的方法，该方法包括使被测半导体纳米线材料悬挂于刻蚀有凹槽的基片上；通过扫描电子显微镜确定出待测半导体纳米线的直径D1和悬挂于凹槽之上半导体纳米线样品悬空部分的长度L；选择激发光源，当激光聚焦在该纳米线悬空部分中心并改变激光强度时，观察到纳米线的带边荧光发射峰的峰位发生显著红移，测量纳米线荧光光谱随温度的变化关系，估算悬空纳米线部分在激光照射下的局域温度，从而得到在一定激光功率密度下纳米线的温度梯度。根据一维纳米线样品的导热方程：K＝χ(2L/πD12)(δλ/δPA)-1的计算，推导出单根纳米线的热导率。本发明利用半导体材料荧光性质推算局域温度和热导率的方法，实际运用于非接触式微纳热性能测量方面。 |
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