| 专利名称 | 纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN201210460671.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102931149A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明（设计）人 | 张国平;秦静;孙蓉;郭慧子 | 主分类号 | H01L23/29(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L23/29(2006.01)I | 专利有效期 | 纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料及其制备方法 至纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料，包括多个由纳米二氧化硅包覆在纳米氮化硅表面形成的微粒，其中，所述纳米氮化硅与纳米二氧化硅的质量比为1:1~10:1。纳米氮化硅与纳米二氧化硅按质量比1∶1~10:1进行复合，使得该复合材料的稳定性好，介电常数较低，能够广泛应用于超大规模集成电路电子封装等领域。本发明还提供一种纳米二氧化硅-纳米氮化硅复合材料的制备方法。 |
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