| 专利名称 | 193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法 | 申请号 | CN201210488002.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102928894A | 公开（授权）日 | 2013.02.13 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 发明（设计）人 | 金春水;靳京城;李春;邓文渊;常艳贺 | 主分类号 | G02B1/11(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B1/11(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/22(2006.01)I | 专利有效期 | 193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法 至193nmP光大角度减反射薄膜元件的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 193nm?P光大角度减反射薄膜元件的制备方法，涉及ArF准分子激光应用技术领域，解决了P偏振态193nm激光光束大角度入射扩束棱镜组时，由于剩余反射导致该模块光学损耗过大的问题。本发明在采用真空热沉积方法在基底上交替沉积LaF3薄膜层和MgF2薄膜层，通过对LaF3薄膜层和MgF2薄膜层进行光学常数解析，特别针对LaF3薄膜层进行厚度优化，在不影响光谱指标的情况下，极力压缩每层LaF3薄膜层的厚度，使多层LaF3薄膜层的总厚度小于40nm；实现对减反射薄膜元件的制备。本发明可以实现P偏振态ArF激光在71o入射时仍具有极低的反射率，大大提高ArF激光器的输出效率。 |
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