| 专利名称 | 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法 | 申请号 | CN200910236718.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102054845A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;陈蕾;毕津顺;刘刚;韩郑生 | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L23/52(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 专利有效期 | 基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法 至基于SOI的射频LDMOS器件及对其进行注入的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种具有低势垒体引出的射频SOI?LDMOS器件，包括底层硅、隐埋氧化层、顶层硅、P-区、N-区、栅氧化层、多晶硅栅层、栅多晶硅化物层、栅电极、氮化硅侧墙、N-漂移区、漏区、漏区硅化物层、漏电极、源区、低势垒体引出区、体区及源区硅化物层、源电极。本发明将射频LDMOS器件制作于SOI衬底之上，利用与P-区同型的重掺杂区域形成与源区短接的低势垒体引出；源/体、漏/体以及栅与各自电极间利用硅化物互联；采用多根栅条叉指形式并联以增大器件驱动能力；本发明提供了与CMOS工艺兼容的调正、背栅注入、N-区注入以及N-漂移区注入方法，以及与CMOS工艺兼容的N-漂移区硅化物掩蔽方法。 |
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