| 专利名称 | 电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法 | 申请号 | CN200910236719.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102054668A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;周华杰 | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法 至电子束正性光刻胶Zep 520 掩蔽介质刻蚀的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种电子束正性光刻胶Zep?520掩蔽介质刻蚀的方法，在介质瞙上沉积一层α-Si薄膜，然后将电子束直写光刻技术得到的高分辨率Zep?520胶图形作为掩瞙，用氯(Cl)基等离子刻蚀α-Si，将高分辨率Zep?520胶图形转移到其下层的α-Si瞙上，接着去除Zep?520胶，进一步利用具有良好保真性的α-Si瞙图形为掩膜，采用F基反应离子刻蚀介质形成凹槽图形，最后用湿法或干法将α-Si瞙去净即可。本发明提供的方法简单可行，完全与CMOS工艺兼容，不增加专门的设备，成本低，易于在介质中实现高精度的纳米尺度凹槽图形，解决了新结构CMOS器件制备中的一大难题。 |
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