| 专利名称 | 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 | 申请号 | CN201010546594.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102051592A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所;中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心 | 发明（设计）人 | 夏洋;饶志鹏;刘键 | 主分类号 | C23C16/26(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/26(2006.01)I;C23C16/48(2006.01)I | 专利有效期 | 一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 至一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及石墨烯的制备技术，具体涉及一种单原子层石墨烯薄膜的制备方法，包括如下步骤：将碳化硅衬底放置于原子层沉积设备反应腔中；向所述原子层沉积设备反应腔中通入重氮甲烷，所述重氮甲烷在碳化硅衬底表面进行化学吸附；所述的重氮甲烷与通入的气态碘单质发生卤代反应，形成不稳定的碳碘键；所述碳碘键通过光照发生断裂，在碳化硅衬底表面形成单原子层石墨烯薄膜。本发明利用原子层沉积技术制备单原子层厚度石墨烯薄膜，该制备方法更加有利于碳原子的沉积和石墨烯的生长，即制备出的石墨烯薄膜厚度更均一，结构更完整，性能更优良。 |
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