| 专利名称 | 一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 | 申请号 | CN200910198406.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102050448A | 公开（授权）日 | 2011.05.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 杨金山;董绍明;丁玉生;王震;周海军 | 主分类号 | C01B31/30(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/30(2006.01)I;C04B35/56(2006.01)I | 专利有效期 | 一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 至一种Ti3SiC2基粉体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种Ti3SiC2基粉体的制备方法。本发明采用(1)将钛粉和聚碳硅烷按照重量比(0.71～2.48)∶1混合并溶于有机溶剂，搅拌烘干使其均匀混合；(2)对烘干的粉料低温裂解，温度为800℃～1200℃，保温时间0.5～2小时，升温速度2～7℃/min，获得初步反应物；(3)对初步反应物高温处理，温度为1400～1600℃，保温时间0.5～2小时，升温速度2～7℃/min。根据原料组分重量比不同，获得Ti3SiC2基粉体材料。结果显示，钛粉基本转化为Ti3SiC2。相比传统方法，高纯Ti3SiC2粉体纯度较高，粒度较小，结晶度较高。 |
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