| 专利名称 | 一种纳米高纯二氧化硅的制备方法 | 申请号 | CN200410049864.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1712352 | 公开（授权）日 | 2005.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 马兵;陈运法;张建森 | 主分类号 | C01B33/113 | IPC主分类号 | C01B33/113;C01B33/18 | 专利有效期 | 一种纳米高纯二氧化硅的制备方法 至一种纳米高纯二氧化硅的制备方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种纳米高纯二氧化硅的制备方法， 其为在高频等离子体气相氧化反应装置中采用等离子体气相 法制备纳米SiO2，包括：将空气 或氧气净化后送入高频等离子体发生器，在震荡功率30KW、 频率3～4MHz的条件下，产生等离子态的氧；将 SiCl4在200～300℃温度下气化 后，送入等离子体化学反应器，与氧等离子体在1200～1800 ℃下进行反应，反应物在反应器内停留0.15～1秒，采用除疤 装置除疤，送入的SiCl4与氧气 的摩尔比为1∶1.2～2；最后通入干燥的空气或 N2气，将二氧化硅晶核淬冷至 300℃以下，收集粉体、除氯，得到本发明的纳米高纯二氧化 硅。该方法工艺流程简单，产品粉体不易团聚，分散度好，产 品颗粒的尺寸、分布和形貌可控，且生产量大，不会带来环境 问题。 |
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