| 专利名称 | 硼酸铯铷非线性光学晶体及其生长方法和用途 | 申请号 | CN200410049863.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN1712576 | 公开（授权）日 | 2005.12.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 李如康;陈创天 | 主分类号 | C30B29/22 | IPC主分类号 | C30B29/22;C30B9/12 | 专利有效期 | 硼酸铯铷非线性光学晶体及其生长方法和用途 至硼酸铯铷非线性光学晶体及其生长方法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明的非线性光学晶体硼酸铯铷，其分子式为 CsxRb1－xB3O5(0＜x＜1＝；空间群为P212121，单胞参数处于a＝8.202 －8.514 ，b＝10.075－9.140 ，c＝5.375－6.207 之间；Z ＝4。制备方法：将铷盐、铯盐和含硼化合物按比例混配，经 加热、恒温、再降温生成硼酸铯铷；将硼酸铯铷与助熔剂混配， 加热至熔融态得混合熔体；再将装在籽晶杆上的籽晶放入混合 熔体中，同时旋转籽晶杆，熔体保持在620－780℃，以0－5 ℃/天速率缓慢降温，将所得晶体提离液面，并降至室温，便得 到非线性光学晶体硼酸铯铷。该晶体可用于产生激光波长变 换，光参量和光放大，电光调制，光波导等。 |
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